ახალი ამბები

კომპანია Ningbo Deamakარის კომპანია, რომელიც სპეციალიზირებულია ინტელექტუალური ღამის განათების დიზაინსა და წარმოებაში. COB სინათლის წყაროს ტექნოლოგია გამოიყენება კომპანიის ზოგიერთ პროდუქტში.

COB სინათლის წყარო არის მაღალი სიმძლავრის ინტეგრირებული ზედაპირული სინათლის წყარო. ეს არის მაღალი განათების ეფექტურობის ინტეგრირებული ზედაპირის სინათლის წყაროს ტექნოლოგია, რომელიც პირდაპირ ათავსებს THE LED ჩიპს სარკის ლითონის სუბსტრატზე მაღალი ამრეკლავი სიჩქარით. ეს ტექნოლოგია გამორიცხავს სამაგრის ცნებას და არ აქვს ელექტრომოლევა, გადამუშავების შედუღება და SMT პროცესი, ამიტომ პროცესი მცირდება თითქმის ერთი მესამედით და ღირებულება ასევე დაზოგულია ერთი მესამედით.

COB სინათლის წყარო შეიძლება დაპროექტებული იყოს სინათლის წყაროს სინათლის არეალის და ზომის პროდუქტის ფორმის სტრუქტურის მიხედვით.

პროდუქტის მახასიათებლები: იაფი, მოსახერხებელი

ელექტრო სტაბილურობა, მიკროსქემის დიზაინი, ოპტიკური დიზაინი, სითბოს გაფრქვევის დიზაინი სამეცნიერო და გონივრული;

სითბოს ჩაძირვის ტექნოლოგია მიღებულია იმის უზრუნველსაყოფად, რომ LED-ს აქვს ინდუსტრიაში წამყვანი თერმული სანათურის შეკავების მაჩვენებელი (95%).

ეს მოსახერხებელია პროდუქტის მეორადი ოპტიკური შესატყვისისთვის და აუმჯობესებს განათების ხარისხს.

მაღალი ფერის დისპლეი, ერთიანი ლუმინესცენცია, სინათლის ლაქის გარეშე, ჯანმრთელობისა და გარემოს დაცვა.

მარტივი ინსტალაცია, მარტივი გამოყენება, ამცირებს ნათურის დიზაინის სირთულეს, დაზოგავს ნათურის დამუშავებას და შემდგომი ტექნიკური ხარჯებს.

 

შიშველი Chip ტექნოლოგიის ორი ძირითადი ფორმა არსებობს: COB ტექნოლოგია და Flip Chip ტექნოლოგია. ჩიპი ბორტზე შეფუთვა (COB), ნახევარგამტარული ჩიპის გადაცემა დამაგრებული ბეჭდური მიკროსქემის დაფაზე, ჩიპის და სუბსტრატის ელექტრო კავშირი ხორციელდება ტყვიის ნაკერების მეთოდით და დაფარულია ფისით საიმედოობის უზრუნველსაყოფად.

 

Chip On Board (COB) პროცესი არის სილიკონის ვაფლის განთავსების ადგილის დაფარვა თერმულად გამტარ ეპოქსიდური ფისით (ზოგადად ვერცხლის დოპირებული ეპოქსიდური ფისით) სუბსტრატის ზედაპირზე და შემდეგ სილიკონის ვაფლის განთავსება პირდაპირ სუბსტრატის ზედაპირზე. თერმული დამუშავება, სანამ სილიკონის ვაფლი მყარად არ ფიქსირდება სუბსტრატზე. შემდეგ მავთულის შედუღება გამოიყენება სილიკონის ვაფლსა და სუბსტრატს შორის პირდაპირი ელექტრული კავშირის დასამყარებლად.

 

თუ გსურთ გაიგოთ მეტი ჩვენი პროდუქციის შესახებ, გთხოვთ ეწვიოთ ჩვენს ოფიციალურ ვებსაიტს:www.deamak.com